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FJX3904TF	文件：132 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB3904	文件：99.48 Kbytes Page：7 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB3904	文件：77.9 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.SourcedfromProcess23.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBT3904	文件：36.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR 200mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage.(BV40VMin.@I=1mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlowstaurationvoltage,isdesignedforgeneralpurposeamflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrent. •Capable	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMBT3904	文件：529.2 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistorCollector-EmitterVoltageVCEO NPNGeneralPurposeTransistor	FCI Amphenol ICC	FCI
FMBT3904W	文件：884.34 Kbytes Page：11 Pages	SMDNPNTransistor 200mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage.(BVCEO=40V@IC=1mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlowstaurationvoltage,isdesignedforgeneralpurposeamflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrent. •Capable	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMMT3904	文件：46.2 Kbytes Page：2 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FTC3904H	文件：465.63 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK3904	文件：1.04817 Mbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK3904Z	文件：1.15746 Mbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GL3904	文件：192.32 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GL3904	文件：190.09 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTO Description TheGL3904isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V ComplementarytoGL3906	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GM3904	文件：227.22 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GM3904	文件：327.28 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
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GMBT3904	文件：210.27 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GMBT3904	文件：405.42 Kbytes Page：4 Pages	NPNSwitchingTransistor ■FEATURES NPNSwitchingTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
GMBT3904	文件：208.51 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
GMBT3904	文件：208.51 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSMBT3904	文件：133.85 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM

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产品属性

产品编号：
MMBT3904SL
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-923F
供应商器件封装：
SOT-923F
描述：
TRANS NPN 40V 0.2A SOT923F

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更多MMBT3904SL供应商更新时间2024-5-31 11:00:00

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