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FMB3904	文件：77.9 Kbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.SourcedfromProcess23.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FMB3904	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN多芯片通用放大器该器件设计用于通用放大器和开关。开关的有效动态电流范围已扩展至100 mA，放大器的频率已扩展至100 MHz。采用工艺23设计。;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FMB3904	文件：99.48 Kbytes Page：7 Pages	NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FMBT3904	文件：36.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR 200mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage.(BV40VMin.@I=1mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlowstaurationvoltage,isdesignedforgeneralpurposeamflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrent. •Capable	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMBT3904	文件：529.2 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistorCollector-EmitterVoltageVCEO NPNGeneralPurposeTransistor	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司
FMBT3904W	文件：884.34 Kbytes Page：11 Pages	SMDNPNTransistor 200mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage.(BVCEO=40V@IC=1mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlowstaurationvoltage,isdesignedforgeneralpurposeamflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrent. •Capable	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.3
IC Cont. (A)：
0.2
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.95
hFE Min：
100
hFE Max：
300
fT Min (MHz)：
250
PTM Max (W)：
0.7
Package Type：
TSOT-23-6

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更多FMB3904供应商更新时间2025-8-2 8:12:00

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