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MJD127-252

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Low Collector-Emitter saturation voltage ·Lead formed for surface mount applications ·High DC current gain APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

文件:281.37 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MJD127T4G

NK/南科功率
TO-252

NK/南科功率

MJD127T4G

ON
TO-252

ON

MJD3055T4G

ON
TO252

ON

MJD3055T4G

ON
TO252

ON

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2021
TO-251
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更多MJD127-252供应商 更新时间2025-10-10 10:04:00