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PBSS3515E	文件：128.13 Kbytes Page：12 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinanultrasmallSOT416(SC-75)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highcollectorcurrentg	ETC	ETC
PBSS3515E	文件：110.02 Kbytes Page：11 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT416(SC-75)SMDplasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC ■Highefficien	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS3515E	文件：243.02 Kbytes Page：13 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515F	文件：63.97 Kbytes Page：8 Pages	15VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515F. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •Lowf	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS3515M	文件：148.99 Kbytes Page：9 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION LowVCEsatPNPtransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515M. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted	ETC	ETC
PBSS3515M	文件：353.04 Kbytes Page：10 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515MB	文件：1.09867 Mbytes Page：12 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515VS	文件：309.62 Kbytes Page：9 Pages	15VlowVCE(sat)PNPdoubletransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •	ETC	ETC
PBSS3515VS	文件：68.56 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCEsatPNPdoubletransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS3515VS	文件：201.2 Kbytes Page：9 Pages	15VlowVCEsatPNPdoubletransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentdu	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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