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PBSS3515F	文件：63.97 Kbytes Page：8 Pages	15 V low VCEsat PNP transistor DESCRIPTION PNP low VCEsat transistor in a SC-89 (SOT490) plastic package. NPN complement: PBSS2515F. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capabilities • Improved thermal behaviour due to flat leads. APPLICATIONS • General purpose switching and muting • Low f 文件：63.97 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS3515F	文件：300 bytes Page：1 Pages	15 V low VCEsat PNP transistor	恩XP 恩智浦	恩XP
PBSS3515M	文件：353.04 Kbytes Page：10 Pages	15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES •Low collector-emitter saturation voltage VCEsat •High collector current capability IC and ICM •High efficiency leading to reduced heat generation •Reduced printed-circuit board requirements. APPLICATIONS •Power management: –DC-DC converter –Supply line switching –Battery charg 文件：353.04 Kbytes 页数：10 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515MB	文件：1.09867 Mbytes Page：12 Pages	15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：1.09867 Mbytes 页数：12 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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