N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 1.0A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 2000V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 40Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·High Voltage Power Supplies ·Capacitor Discharge ·Pulse Circuits

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ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode

文件：268.13 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

N通道标准 Polar3™ MOSFET

• 专有高压封装 \n• 高阻断电压\n• 正温度系数RDSON;

Littelfuse

力特

N-Channel Enhancement Mode

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IXYS

艾赛斯

N通道标准 Polar3™ MOSFET

• 专有高压封装 \n• 高阻断电压\n• 正温度系数RDSON;

Littelfuse

力特