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IXTH220N055T	文件：210.39 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode 文件：210.39 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTH220N055T	文件：382.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：382.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTH220N055T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options ·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages\n;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTP220N055T	文件：220.59 Kbytes Page：5 Pages	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET 文件：220.59 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP220N055T	文件：294.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：294.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTQ220N055T	文件：210.39 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode 文件：210.39 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

更多IXTH220N055T供应商更新时间2026-1-31 13:31:00