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IXTH240N055T	文件：210.56 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMV Power MOSFET 文件：210.56 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
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IXTH240N055T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options ·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages;	Littelfuse 力特	Littelfuse
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更多IXTH240N055T供应商更新时间2025-10-9 10:03:00