isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=240A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 5.2mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

无锡固电

GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

N通道沟槽栅 Gen2 MOSFET

• 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能;

Littelfuse

力特

TO-247

IXYS

艾赛斯

上传：深圳市凌旭科技有限公司

TO-263

IXYS/LITTELFUSE

上传：深圳市斌腾达科技有限公司