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IXFN120N25	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFN120N25	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-227-4，miniBLOC；包装：盒类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFQ120N25	文件：316.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 12mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and PFC Circuits.. 文件：316.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFT120N25T	文件：187.72 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier 文件：187.72 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFX120N25	文件：98.46 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die Features • International standard packages • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect • Fast intrinsic rectifier Applications • DC-DC con 文件：98.46 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

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更多IXFN120N25供应商更新时间2026-2-5 16:39:00