HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

HiPerFETTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Features • International Standard Package • miniBLOC with Aluminum Nitride Isolation • Avalanche Rated • Low Package Inductance • Fast Intrinsic Rectifier • Low RDS(on) and QG Advantages • Easy

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IXYS

艾赛斯

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 12.5Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Battery Chargers · DC Choppers · Power Factor Correction (PFC) · DC-DC Converters · High Speed Power Switching Application

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ISC

无锡固电

Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET

• 国际标准包装 \n• 高电流处理能力\n• 低RDS(on) HDMOS过程\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 快速本征二极管;

Littelfuse

力特

Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯