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IXFT120N25T	文件：187.72 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX120N25	文件：367.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX120N25	文件：98.46 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Applications •DC-DCcon	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX120N25P	文件：151.37 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrisicDiode Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicDiode •AvalancheRated •LowPackageInductance Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications •Switched-ModeandResonant-ModePowe	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTK120N25	文件：85.69 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentMegaMOSFET HighCurrentMegaMOS™FET N-ChannelEnhancementMode Features •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Internationalstandardpackage •Fastswitchingtimes Applications •Motorcontrols •DCchoppers •Switched-modepowersupplies Advantages •Easyto	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTK120N25	文件：584.25 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentMegaMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTK120N25P	文件：302.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTK120N25P	文件：161.98 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackage •UnclampedInductiveSwitching(UIS) rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTN120N25	文件：584.25 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentMegaMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
RCJ120N25	文件：299 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市艾宇欣科技有限公司	IXFT120N25X3HV	IXYS	1931+	N/A	30	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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深圳市易讯博科技有限公司	IXFT120N25X3HV	IXYS	22+	NA	30	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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