HiPerFET Power MOSFETs

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IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET

• 国际标准包装 \n• 高电流处理能力\n• 低RDS(on) HDMOS过程\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 快速本征二极管;

Littelfuse

力特

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.31Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converter ·Battery Chargers ·High speed power switch

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ISC

无锡固电

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件：125.49 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特