N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 850V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 33mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · AC and DC Motor Drives · Power Factor Correction (PFC)

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ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

文件：133.47 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

N通道 超-超级结MOSFET

• 超低通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• 快速体二极管\n• dv/dt强度\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

SOT-227小信号场效应晶体管

IXYS艾赛斯

上传：芯有半导体（深圳）有限公司

SOT-227

IXYS

艾赛斯

上传：深圳市维众兴电子有限公司