isc N-Channel MOSFET Transistor

·DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 280A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 85V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.4mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·DC-DC converte

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ISC

无锡固电

HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

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IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET

• 国际标准包装 \n• 高电流处理能力\n• 低RDS(on) HDMOS过程\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 快速本征二极管;

Littelfuse

力特

SOT-227

IXYS

艾赛斯

上传：深圳市维众兴电子有限公司

SOT-227B

IXYS/LITTELFUSE

上传：深圳市斌腾达科技有限公司