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IXFN100N50P	文件：534.53 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=49mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Highspeedpowerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFN100N50P	文件：158.21 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN100N50P	文件：149.07 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN100N50P_V01	文件：149.07 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
100N50TW	文件：231.67 Kbytes Page：2 Pages	AlNCeramic	ANARENanaren 安伦	ANAREN
FDL100N50F	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDL100N50F	文件：297.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDL100N50F	文件：725.39 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET,FRFET500V,100A,0.055廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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RFP-100N50TW	文件：504.82 Kbytes Page：2 Pages	AluminumNitrideTerminations	ANARENanaren 安伦	ANAREN

详细参数

型号：
IXFN100N50P
功能描述：
MOSFET 500V 100A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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