HiPerFET Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features ● International standard packages ● JEDECTO-264 AA,epoxymeet UL94V-0, flammability classification ● miniBLOC with Aluminium nitride isolation ● Low RDS (on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● U

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IXYS

艾赛斯

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION · Drain Current -ID= 106A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 20mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converter · Battery Chargers · Synchronous Rectification

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ISC

无锡固电

N通道HiPerFET

• 国际标准包装 \n• 高电流处理能力\n• 低RDS(on) HDMOS过程\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 快速本征二极管;

Littelfuse

力特

SOT-227小信号场效应晶体管

IXYS艾赛斯

上传：芯有半导体（深圳）有限公司

SOT-227

IXYS

艾赛斯

上传：深圳市维众兴电子有限公司