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IXFE34N100 | HiPerFET-TM Power MOSFET HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die Features • Conforms to SOT-227B outline • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance • Fast intrinsic Rectifier Applications • DC-DC converters • Batte 文件:434.72 Kbytes 页数:2 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXFE34N100 | Discrete MOSFETs: HiPerFET Power MOSFETS | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS264(Electrically Isolated Backside) 文件:117.88 Kbytes 页数:2 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features ● International standard packages ● miniBLOC, with Aluminium nitride isolation ● Low RDS (on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated ● Low package inductanc 文件:101.64 Kbytes 页数:2 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
详细参数
- 型号:
IXFE34N100
- 功能描述:
MOSFET 30 Amps 1000V 0.28 Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
询价 | ||
IXYS |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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询价 | ||
IXYS |
25+ |
SOT-227 |
326 |
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询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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询价 | ||
IXYS |
22+ |
SOT2274 miniBLOC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
MODULE |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
SOT-227-4,miniBLOC |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXFN |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 |
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