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IRLR120TRL	文件：613.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：613.11 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRLR120TRLPBF	文件：613.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：613.11 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRLR120TRRPBF	文件：613.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：613.11 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRLRSLASHU120NPBF	文件：299.66 Kbytes Page：11 Pages	Surface Mount (IRLR120N) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p 文件：299.66 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLRU120A	文件：225.82 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET 文件：225.82 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRLRU120N	文件：173.96 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A) 文件：173.96 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRLR120TR
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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