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IRLR2905Z	文件：217.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and imp 文件：217.58 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR2905Z	文件：335.48 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLR2905Z	文件：1.09339 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：1.09339 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRLR2905ZPBF	文件：266.77 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：266.77 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR2905ZPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：333.59 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR2905ZPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：333.59 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR2905ZPBF_15	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：333.59 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR2905ZTRLPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：333.59 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR2905ZTRPBF	文件：1.09681 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.09681 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRLR2905ZTRPBF	文件：333.59 Kbytes Page：11 Pages	Logic Level 文件：333.59 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRLR2905ZTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
13.5 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
22.5 mΩ
ID @25°C max：
60 A
QG typ @4.5V：
23 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
3 V
VGS(th)：
2 V
Technology：
IR MOSFET™

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