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IRLRU120N	文件：173.96 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A) 文件：173.96 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLRU120N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLU120	文件：173.96 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A) 文件：173.96 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLU120	文件：181.33 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third Generation Power MOSFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering t 文件：181.33 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRLU120	文件：341.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：341.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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