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IRLR210ATM

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 200V, ID= 30 A RDS(ON)

文件:1.3737 Mbytes 页数:5 Pages

Bychip

百域芯

IRLR210A

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:320.97 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRLR210ATF

MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

IRLR210ATM

MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    IRLR210

  • 功能描述:

    MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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TO-252
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更多IRLR210供应商 更新时间2025-11-25 16:12:00