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IRG4BC30K

600V 超快 8-25 kHz 分立 IGBT,采用 TO-220AB 封装

Infineon

英飞凌

IRG4BC30K

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 28A 100W TO220AB

INFINEON

英飞凌

IRG4BC30KD-S

600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a D2-Pak package

600V IGBT 与 8-25 kHz 超快、超软恢复反并联二极管联合封装到 D2-Pak 封装中 • 对电机控制的高短路额定值进行了优化,tsc =10µs, @360V VCE(启动),TJ=125°C, VGE=15V\n• 低通态损耗与高开关速度相结合\n• 相较于前代,参数分布更紧凑,效率更高\n• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可行的高功率密度电机控制\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化,将噪声、EMI 和开关损耗降至最低;

Infineon

英飞凌

IRG4BC30K-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT

Infineon

英飞凌

IRG4BC30KDPBF

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 28A 100W TO220AB

INFINEON

英飞凌

IRG4BC30KPBF

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 28A 100W TO220AB

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC30K

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,16A

  • 开关能量:

    360µJ(开),510µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    26ns/130ns

  • 测试条件:

    480V,16A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 28A 100W TO220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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