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IRG4BC30K-S	文件：161.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous 文件：161.85 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30K-SPBF	文件：271.3 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control tsc = 10 μs, @360V VCE(start), TJ = 125 °C VGE = 15V • Conbines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides t 文件：271.3 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KDPBF	文件：347.44 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：347.44 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KDPBF_15	文件：347.44 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：347.44 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KD-SPBF	文件：376.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE 文件：376.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KD-SPBF_15	文件：376.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE 文件：376.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KPBF	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) 文件：263.29 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30K-S	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) 文件：263.29 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30KS_04	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) 文件：263.29 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC30K-S_04	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) 文件：263.29 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4BC30K
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，16A
开关能量：
360µJ（开），510µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/130ns
测试条件：
480V，16A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 28A 100W TO220AB

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