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IRG4BC20KD-S	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgene	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KD-SPBF	文件：364.28 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULRTAFASTSOFRRECOVERYDIODE Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KD-STRLP	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgene	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KS	文件：162.34 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20K-S	文件：162.34 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20K-SPBF	文件：298.04 Kbytes Page：9 Pages	ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MD	文件：251.74 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=11A) Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforinterme	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MDPBF	文件：296.44 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benefits •Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforintermed	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MDS	文件：200.72 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=11A) Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode •IndustrystandardD2Pakpackage Benefits •Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforintermediateapplication	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MD-S	文件：200.72 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=11A) Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode •IndustrystandardD2Pakpackage Benefits •Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforintermediateapplication	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
IRG4BC20FD-STRL
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，9A
开关能量：
250µJ（开），640µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
43ns/240ns
测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
描述：
IGBT 600V 16A 60W D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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