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IRG4BC20UD-SPBF	文件：301.01 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterpara- meterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UD-SPBF	文件：365.7 Kbytes Page：11 Pages	ULTRAFASTCOPACKIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UDSRP	文件：256.209 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UDSTRRP	文件：256.209 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UPBF	文件：357.9 Kbytes Page：8 Pages	ULTRAFASTSPEEDIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UPBF	文件：314.89 Kbytes Page：9 Pages	UltraFastSpeedIGBT Features •UltraFast:optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benefits •Generati	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20W	文件：130.259 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTde	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20WPBF	文件：284.16 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20WPBF	文件：209.42 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20WS	文件：152.24 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTde	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
IRG4BC20FD-STRL
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，9A
开关能量：
250µJ（开），640µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
43ns/240ns
测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
描述：
IGBT 600V 16A 60W D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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