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IRFU234A	文件：309.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 6.6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.45Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：309.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU234B	文件：640.93 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：640.93 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRFU234B	文件：345.73 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：345.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
ISCP234P	文件：272.92 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors 文件：272.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更多IRFU234A供应商更新时间2026-1-21 10:02:00