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IRFU3706	文件：133.77 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=75A?? Applications • High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use • High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power Benefits • Ultra-Low Gate Impedance • Very Low RDS(on) at 4.5V VGS • Fully Characterized Avalanche 文件：133.77 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
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IRFU3706	文件：3.73979 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET 文件：3.73979 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
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IRFU3706CPBF	文件：3.87177 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Applications • High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use • High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power • Lead-Free Benefits • Ultra-Low Gate Impedance • Very Low RDS(on) at 4.5V VGS • Fully Characte 文件：3.87177 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU3706CPBF	文件：3.84675 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Applications • High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use • High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power • Lead-Free Benefits • Ultra-Low Gate Impedance • Very Low RDS(on) at 4.5V VGS • Fully Characte 文件：3.84675 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU3706CPBF	文件：254.38 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Applications • High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use • High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power • Lead-Free Benefits • Ultra-Low Gate Impedance • Very Low RDS(on) at 4.5V VGS • Fully Characte 文件：254.38 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU3706CPBF	文件：263.52 Kbytes Page：11 Pages	High Frequency Isolated DC-DC 文件：263.52 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU3706CPBF	文件：3.86456 Mbytes Page：10 Pages	High Frequency Isolated DC-DC Converters 文件：3.86456 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU3706PBF	文件：3.83698 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET 文件：3.83698 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI

详细参数

型号：
IRFU3706
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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