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IRFU3710Z	文件：218.1 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：218.1 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU3710Z	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：365.44 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFU3710Z	文件：247.61 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU3710ZPBF	文件：4.26598 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features co 文件：4.26598 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU3710ZPBF	文件：4.26849 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features co 文件：4.26849 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU3710ZPbF	文件：688.61 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features co 文件：688.61 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRFU3710ZPBF	文件：275.12 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features co 文件：275.12 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU3710Z-701PBF	文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：4.70307 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU3710ZPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：365.44 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFU3710ZPBF	文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：4.70307 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI

技术参数

VDS max：
100.0V
RDS (on) max：
18.0mΩ
RDS (on)(@10V) max：
18.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
39.0A
ID (@ TC=25°C) max：
56.0A
ID max：
56.0A
Ptot max：
140.0W
QG ：
69.0nC
Mounting ：
THT
Qgd ：
25.0nC
Tj max：
175.0°C
RthJC max：
1.05K/W
VGS max：
20.0V

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