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IRFU4105Z	文件：1.07008 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, thi MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive 文件：1.07008 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU4105Z	文件：206.97 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A) AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：206.97 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU4105Z	文件：247.45 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU4105ZPBF	文件：267.36 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features comb 文件：267.36 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU4105ZPBF	文件：4.25111 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：4.25111 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU4105ZPBF	文件：4.26926 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：4.26926 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU4105ZPBF	文件：335.84 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：335.84 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU4105Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 I-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
IPAK (TO-251)
VDS max：
55.0V
RDS (on) max：
24.5mΩ
RDS (on)(@10V) max：
24.5mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
21.0A
ID (@ TC=25°C) max：
30.0A
ID max：
30.0A
Ptot max：
48.0W
QG ：
18.0nC
Mounting ：
THT
Qgd ：
7.0nC
Tj max：
175.0°C
RthJC max：
3.12K/W
VGS max：
20.0V

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