| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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N/ATO-251 |
9782 |
26+ |
原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权 |
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4年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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14年
留言
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IRTO-251 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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10年
留言
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IRTO-251 |
10000 |
25+ |
普通 |
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5年
留言
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N/ATO-251 |
27500 |
25+ |
原装正品,价格最低! |
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5年
留言
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IRTO-252 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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19年
留言
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IRTO-252 |
3015 |
03+ |
全新 发货1-2天 |
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6年
留言
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IRI-PAK |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
7000 |
23+ |
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13年
留言
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IRTO-251 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesTO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
留言
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IRTO-252 |
3000 |
23+ |
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5年
留言
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IRI-PAK |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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6年
留言
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INFINEONTO-251 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
留言
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IRI-Pak |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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IRTO-251-3 |
125478 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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6年
留言
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IRTO-252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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6年
留言
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INFINEONTO-251 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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16年
留言
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IRTO252-3 |
75755 |
25+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
IRFU3706采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFU3706图片
IRFU3706-01中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFU3706功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFU3706-701PBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFU3706CPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRFU3706PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

























