Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

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IRF

丝印：IPAK；Package：TO-251；isc P-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

采用 I-Pak 封装的 -100V 单 N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道MOSFET;

Infineon

英飞凌

HEXFET Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

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IRF