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IRFR9024NCPBF	文件：1.34872 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：1.34872 Mbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR9024NCPBF	文件：5.56784 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：5.56784 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR9024NCPBF	文件：5.33157 Mbytes Page：10 Pages	ULTRA LOW ON-RESISTANCE Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：5.33157 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR9024NPBF	文件：1.38867 Mbytes Page：11 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175廓 , ID = -11A ) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：1.38867 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR9024NPBF	文件：5.00536 Mbytes Page：10 Pages	ULTRA LOW ON-ORSISTANCE Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：5.00536 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR9024NPBF	文件：1.38963 Mbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：1.38963 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRFR9024NCPBF
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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