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IRFR9N20D	文件：126.79 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A) SMPS MOSFET Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：126.79 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR9N20D	文件：3.7302 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET SMPS MOSFET Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：3.7302 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR9N20D	文件：336.4 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR9N20DPBF	文件：222.52 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：222.52 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR9N20DPBF	文件：3.8431 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：3.8431 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR9N20DTRPBF-TP	文件：998.31 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q Features \| + Vos=200v © os 60A © Rosow 50650 @Vos=10V 文件：998.31 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRFR9N20DPBF	文件：231.67 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：231.67 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR9N20DPBF_15	文件：231.67 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：231.67 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR9N20D	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D-Pak 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 具备完全特性化的雪崩电压和电流\n• 低栅漏电荷，可降低开关损耗\n• 具备完全特性化的的电容，包括有效的Coss以简化设计;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
DPAK (TO-252)
VDS max：
200.0V
RDS (on)(@10V) max：
380.0mΩ
RDS (on) max：
380.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
6.7A
ID max：
6.7A
ID (@ TC=25°C) max：
9.4A
Ptot max：
86.0W
QG ：
18.0nC
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
9.0nC
RthJC max：
1.75K/W
Tj max：
175.0°C
VGS max：
30.0V

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