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IRFR9N20D数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRFR9N20D

功能描述

200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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IRFR9N20D规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 具备完全特性化的雪崩电压和电流
• 低栅漏电荷,可降低开关损耗
• 具备完全特性化的的电容,包括有效的Coss以简化设计

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFR9N20D

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DPAK (TO-252)

  • VDS max

    :200.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :380.0mΩ

  • RDS (on) max

    :380.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TC=100°C) max

    :6.7A

  • ID  max

    :6.7A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :9.4A

  • Ptot max

    :86.0W

  • QG 

    :18.0nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :9.0nC 

  • RthJC max

    :1.75K/W

  • Tj max

    :175.0°C

  • VGS max

    :30.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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NA/
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IR/VISHAY
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SOT-252
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TO-252
36900
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