| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 252 |
161409 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYTO-252 |
1626 |
14+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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VISHAY/威世TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYTO-252 |
10000 |
10+ |
只做全新原装IR正品现货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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60932 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO252 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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IRSOP |
32650 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
4 |
12+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRSOT252 |
20000 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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IRTO252 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IRPLCC-44 |
18000 |
23+ |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IRTO252 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-252(DPAK) |
28500 |
1415+ |
全新原装正品,优势热卖 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
IRFR9210采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR9210图片
IRFR9210PBF价格
IRFR9210PBF价格：￥1.8206品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR9210PBF多少钱，想知道IRFR9210PBF价格是多少？参考价：￥1.8206。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR9210PBF批发价格及采购报价，IRFR9210PBF销售排行榜及行情走势，IRFR9210PBF报价。
IRFR9210中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9210功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9210PBF功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9210TF制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:IRFR9210TF
IRFR9210TR功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9210TRL功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9210TRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9210TRPBF功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9210TRR功能描述:MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
