| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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IRD-PAK |
15800 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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4年
留言
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VISHAY/威世TO-252DPAK |
45000 |
24+ |
只做全新原装进口现货 |
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12年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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1年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
27 |
15+ |
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只做自己真实库存原盘原标清仓价格好省钱全新正品原厂现货 |
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12年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
5715 |
25+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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15年
留言
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VISHAY/威世TO-252DPAK |
32360 |
25+ |
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VISHAY/威世全新特价IRFR9110即刻询购立享优惠#长期有货 |
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13年
留言
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IRSOP |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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5年
留言
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IRD-Pak |
27500 |
25+ |
原装正品,价格最低! |
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7年
留言
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FSCTO-252 |
1500 |
0008+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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11年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
30000 |
25+ |
全新原装现货 价格优势 |
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18年
留言
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IRTO-252 |
15000 |
05+ |
原装进口 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9000 |
24+ |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
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5年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
50000 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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14年
留言
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IRTO-252 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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13年
留言
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irN/A |
6980 |
26+ |
原装现货,可开13%税票 |
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6年
留言
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IRTO-252-2 |
3389 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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16年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
4835 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
IRFR9110采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR9110图片
IRFR9110PBF价格
IRFR9110PBF价格：￥1.7163品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRFR9110PBF多少钱，想知道IRFR9110PBF价格是多少？参考价：￥1.7163。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR9110PBF批发价格及采购报价，IRFR9110PBF销售排行榜及行情走势，IRFR9110PBF报价。
IRFR9110中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9110功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR91109A制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR9110PBF功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9110TR功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9110TRA制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR9110TRL功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9110TRLA制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR9110TRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9110TRPBF功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9110TRR功能描述:MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
