选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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INFINEONTECHNOLOGIES/IRTO-252 |
160373 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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INFINEONNA |
40015 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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VBsemi(微碧)TO-252 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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IRTO252 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
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IR/INFINEONTO-252 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)TO252 |
14016 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO252 |
9748 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
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IRTO-252 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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INFINEONTO252 |
10282 |
17+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
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INFINEON/英飞凌TO252 |
50000 |
21+ |
只做原装,支持实单! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VISHAY/威世TO252 |
7906200 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
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IRTO252 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
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IRTO-252 |
20000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-252 |
87500 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市祥瑞智科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-252 |
10000 |
22+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
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IRTO252 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRD-pak |
20000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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IRFR9120NPBF价格
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IRFR9120NTRPBF
原装正品现货
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北京天阳诚业科贸有限公司是一家具有丰富的电子元器件分销经验的全球分销商。我们坚持只做原装正品,在全世界内分销、收购过剩库存,公司备有大量现货,同时我们代购国外代理商的库存。可以为客户长期备货和跟原厂定期货。TE,Tyco,AMP,MOLEX,,DELPHI,APTIV,JAE,YAZAKI,,JST,KET,Souriau,L-com,Schaff
IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9110功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR91109A制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR9110PBF功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9110TF制造商:International Rectifier
IRFR9110TM制造商:Samsung Semiconductor
IRFR9110TR功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9110TRA制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR9110TRL功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9110TRLA制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR9110TRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube