| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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2000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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19158 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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VISDPAK(TO-252) |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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2000 |
19+ |
TO-252-3 (DPAK) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-252-3 (DPAK) |
2000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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IRTO-252 |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)Tape & Reel |
60925 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
5750 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IR/VISHAYSOT252 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO252 |
154 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRD-pak |
9852 |
21+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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apecSOT-23 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
IRFR9214采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR9214图片
IRFR9214PBF价格
IRFR9214PBF价格：￥2.5297品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR9214PBF多少钱，想知道IRFR9214PBF价格是多少？参考价：￥2.5297。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR9214PBF批发价格及采购报价，IRFR9214PBF销售排行榜及行情走势，IRFR9214PBF报价。
IRFR9214中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9214功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9214PBF功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9214TR功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9214TRL功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9214TRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9214TRPBF功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9214TRR功能描述:MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
