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IRFR9214TRLPBF	文件：155.92 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an ext 文件：155.92 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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IRFRU9214	文件：107.13 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A) 文件：107.13 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRFR9214TRLPBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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