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IRFS11N50ATRL	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS • Switch Mode Power Su 文件：989.99 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFS11N50ATRLPBF	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS • Switch Mode Power Su 文件：989.99 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFS11N50ATRLPA	文件：350.04 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：350.04 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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IRFSL11N50A	文件：123.55 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：123.55 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRFS11N50ATRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFS11N50ATRL供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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