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IRFS11N50ATRRPBF	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSu	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFS11N50ATRRPA	文件：350.04 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
11N50	文件：161 Kbytes Page：6 Pages	500VN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC11N50isanN-channelenhancementmodepowerMOSFET.ItusesUTCadvancedplanarstripe,DMOStechnologytoprovidecustomersperfectswitchingperformance,minimalon-stateresistance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode. TheU	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
11N50	文件：185.39 Kbytes Page：6 Pages	11A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
11N50K-MT	文件：217.08 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AP11N50I	文件：99.59 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
FB11N50A	文件：159.78 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
FB11N50A	文件：100.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.52ohm,Id=11A) Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
FDP11N50	文件：331.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.725Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQP11N50CF	文件：1.27172 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF11N50CF	文件：1.27172 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF11N50CF	文件：277.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB11N50	文件：100.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.52ohm,Id=11A) Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB11N50A	文件：100.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.52ohm,Id=11A) Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB11N50A	文件：159.78 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFB11N50A	文件：371.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB11N50A	文件：178.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFB11N50APBF	文件：178.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRFS11N50A	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSu	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
IRFS11N50ATRRP
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFS11N50ATRRP供应商更新时间2024-5-27 11:30:00

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