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IRFR9214	文件：155.92 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9214	文件：3.3941 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9214	文件：268.5 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Fullyavalancherated •Surface-mount(IRFR9214,SiHFR9214) •Straightlead(IRFU9214,SiHFU9214) •P-channel •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgenerat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9214	文件：107.13 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9214_V01	文件：268.5 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Fullyavalancherated •Surface-mount(IRFR9214,SiHFR9214) •Straightlead(IRFU9214,SiHFU9214) •P-channel •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgenerat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9214PBF	文件：255.29 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -250V , RDS(on) = 3.0廓 , ID = -2.7A ) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthede	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9214PBF	文件：155.92 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9214PBF	文件：3.3941 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9214TR	文件：155.92 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9214TRA	文件：3.3941 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRFR9214
功能描述：
MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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