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IRFS41N15D	文件：268.02 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：268.02 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFS41N15D	文件：193 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A) Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：193 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS41N15D	文件：299.93 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFS41N15DPBF	文件：342.04 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：342.04 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRFS41N15DPbF	文件：714.57 Kbytes Page：13 Pages	High frequency DC-DC converters Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Lead-Free Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：714.57 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFS41N15D	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封装的 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFS41N15DTRLPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET Benefits\n● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce\n Switching Losses\n● Fully Characterized Capacitance Including\n Effective COSS to Simplify Design, (See App.\n Note AN1001)\n● Fully Characterized Avalanche Voltage\n and Current\n● Lead-Free	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFS41N15DTRLP	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET MOSFT 150V 41A 45mOhm 72nC	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Ptotmax：
200 W
Qgd：
35 nC
QG(typ @10V)：
72 nC
RDS (on)(@10V) max：
45 mΩ
RthJCmax：
0.75 K/W
Tjmax：
175 °C
VDSmax：
150 V
VGS(th)：
4.25 V
VGSmax：
30 V
Mounting：
SMD
Package：
D2PAK (TO-263)
Polarity：
N
Moisture Sensitivity Level：
1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRFS41N15D	INFINEON/英飞凌	25+	TO-263	45000	INFINEON/英飞凌全新现货IRFS41N15D即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司	IRFS41N15D	IR	22+	D2-PAK	9450	原装正品，实单请联系	询价
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更多IRFS41N15D供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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