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IRFS41N15DTRLP	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET MOSFT 150V 41A 45mOhm 72nC	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFS41N15DTRLPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET Benefits\n● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce\n Switching Losses\n● Fully Characterized Capacitance Including\n Effective COSS to Simplify Design, (See App.\n Note AN1001)\n● Fully Characterized Avalanche Voltage\n and Current\n● Lead-Free	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFSL41N15D	文件：268.02 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：268.02 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFSL41N15D	文件：193 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A) Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：193 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL41N15DPbF	文件：714.57 Kbytes Page：13 Pages	High frequency DC-DC converters Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Lead-Free Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：714.57 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFS41N15DTRLP
功能描述：
MOSFET MOSFT 150V 41A 45mOhm 72nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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