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FB41N15D	文件：193 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.045ohm,Id=41A) Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IIRFB41N15D	文件：338.36 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighfrequencyDC-DCconverters •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤45mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB41N15D	文件：193 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.045ohm,Id=41A) Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB41N15D	文件：268.02 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB41N15D	文件：338.36 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighfrequencyDC-DCconverters •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤45mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB41N15DPBF	文件：343 Kbytes Page：13 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB41N15DPBF	文件：714.57 Kbytes Page：13 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp. NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent ●Lead-Free Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFB41N15DPBF	文件：342.04 Kbytes Page：13 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB41N15D	文件：268.02 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB41N15D	文件：260.61 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRFS41N15DTRLP
功能描述：
MOSFET MOSFT 150V 41A 45mOhm 72nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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