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IRFS3607TRLPBF

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

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IRF

IRFSL3607PBF

HEXFET Power MOSFET

Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • Hi

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IRF

IRFSL3607PBF

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

文件:327.29 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRFSL3607PBF

ThinkiSemi 85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFETs

文件:1.5573 Mbytes 页数:7 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

详细参数

  • 型号:

    IRFS3607TRLPBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFS3607TRLPBF供应商 更新时间2025-11-19 17:18:00