| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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IRSOT-163 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
1697 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-252-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
9865 |
23+/24+ |
专营品牌.原装正品.终端BOM表可配单 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRSOT-252 |
65400 |
23+ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
8420 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO252-2 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-252-3 (DPAK) |
6000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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3000 |
19+ |
TO-252-3 (DPAK) |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-252-3 |
180 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-252-3 (DPAK) |
3000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRDPAK |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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60704 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
15000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
4800 |
21+ |
原装正品实单价格可谈 |
IRFRC20TR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFRC20TR图片
IRFRC20TRPBF-CUTTAPE价格
IRFRC20TRPBF-CUTTAPE价格：￥1.6489品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRFRC20TRPBF-CUTTAPE多少钱，想知道IRFRC20TRPBF-CUTTAPE价格是多少？参考价：￥1.6489。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFRC20TRPBF-CUTTAPE批发价格及采购报价，IRFRC20TRPBF-CUTTAPE销售排行榜及行情走势，IRFRC20TRPBF-CUTTAPE报价。
IRFRC20TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFRC20TR功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFRC20TRL功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFRC20TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFRC20TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFRC20TRR功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFRC20TRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
