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IRFR9024NTR	文件：128.669 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：128.669 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR9024NTR	文件：1.69025 Mbytes Page：5 Pages	丝印：IRFR9024；Package：TO-252；-60V P -Channel Enhancement Mode MOSFET General Features Vps =-60V Ip=-20A Robson) 文件：1.69025 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRFR9024NTR	文件：1.50124 Mbytes Page：5 Pages	丝印：IRFR9024；Package：TO-252；60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Features Vos = -60V Ip =-20 A Ros(on) 文件：1.50124 Mbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRFR9024NTRLPBF	文件：1.38963 Mbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：1.38963 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR9024NTRPBF	文件：1.38963 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：1.38963 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR9024NTRPBF	文件：1.02804 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.02804 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFR9024NTRPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET

技术参数

ID/A：
10
VDS/V：
60
RDS(on)/mΩ：
100
VGS/V：
20
VGS(th)/V：
1.2-2.5
N/P：
P

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