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IRFR9310	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extre 文件：832.21 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFR9310	文件：267.35 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES • Advanced process technology • Fully avalanche rated • Surface-mount (IRFR9310, SiHFR9310) • Straight lead (IRFU9310, SiHFU9310) • P-channel • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third generat 文件：267.35 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFR9310	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extre 文件：3.34605 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR9310	文件：3.34658 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extre 文件：3.34658 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR9310	文件：116.78 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A) 文件：116.78 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR9310	文件：247.16 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：247.16 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFR9310	文件：3.34757 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：3.34757 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR9310	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Advanced process technology\nFully avalanche rated\nSurface-mount (IRFR9310, SiHFR9310);	Vishay 威世	Vishay
IRFR9310_V01	文件：267.35 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES • Advanced process technology • Fully avalanche rated • Surface-mount (IRFR9310, SiHFR9310) • Straight lead (IRFU9310, SiHFU9310) • P-channel • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third generat 文件：267.35 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFR9310PBF	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extre 文件：3.34605 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI

详细参数

型号：
IRFR9310
功能描述：
MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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