IRFR9310中文资料KERSEMI数据手册PDF规格书

厂商型号	IRFR9310
功能描述	Power MOSFET
文件大小	3.34605 Mbytes
页面数量	7 页
生产厂商	KERSEMI
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更新时间	2025-11-15 23:00:00
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IRFR9310规格书详情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

FEATURES

• P-Channel

• Surface Mount (IRFR9310/SiHFR9310)

• Straight Lead (IRFU9310/SiHFU9310)

• Advanced Process Technology

• Fast Switching

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

产品属性

型号：
IRFR9310
功能描述：
MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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